Transistor óptico fotodarlington
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Transistor óptico fotodarlington

El transistor óptico fotodarlington (modelo ETT0623BE1) es un componente fotodarlington basado en silicio NPN. El diseño interno de pila de transistores de dos etapas ofrece una ganancia de corriente extremadamente alta. Incluso una entrada de luz incidente muy débil puede provocar una salida de señal eléctrica evidente.
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Descripción

Parámetros técnicos

El transistor óptico fotodarlington (modelo ETT0623BE1) es un componente fotodarlington basado en silicio NPN. El diseño interno de pila de transistores de dos etapas ofrece una ganancia de corriente extremadamente alta. Incluso una entrada de luz incidente muy débil puede provocar una salida de señal eléctrica evidente. Este dispositivo fotorreceptor de alta ganancia es adecuado para escenarios de detección optoelectrónica donde la señal de luz entrante es relativamente débil y se deben minimizar los circuitos amplificadores externos.

Los dispositivos Photodarlington presentan una ganancia inherente muy alta, lo que hace que el control de la corriente oscura sea fundamental para la estabilidad del producto terminado. Nuestro flujo de trabajo de prueba de componentes terminados detecta unidades con corriente de fuga excesiva, lo que ayuda a los clientes a evitar el riesgo de disparos falsos en el hardware de detección de automatización.

 

Parámetros técnicos

 

Parámetro

Especificación

Material

Chip fotodarlington NPN de silicio

Modelo

ETT0623BE1

Estructura interna

Configuración apilada Darlington de doble transistor

Característica principal

Ganancia de corriente extremadamente alta provocada por una luz incidente tenue

 

Aplicaciones

Conjuntos de interruptores optoelectrónicos de luz tenue

Elemento receptor de fotografías de alta ganancia para circuitos de detección con señal óptica incidente débil.

Módulos de detección de automatización compactos

Querido transistor fotográfico de dos vías para hardware de detección con espacio limitado sin amplificador IC adicional.

Unidades optointerruptoras ranuradas en miniatura

Componente receptor de alta sensibilidad integrado en módulos de interruptor de ranura de factor de forma pequeño.

 

Personalización

 

Se admiten servicios OEM y ODM. Apoyamos la fabricación según planos del cliente o prototipos físicos. El ciclo de desarrollo de muestras personalizadas suele ser de aproximadamente una semana. Se pueden proporcionar muestras de evaluación de producción previa a la masa.

 

Embalaje y transporte

 

Cada transistor óptico Photodarlington se empaqueta en una bolsa protectora antiestática, guardada dentro de una caja de espuma resistente a los golpes. Las cajas van en cajas de cartón corrugado reforzadas para exportación, llenas de materiales acolchados y envueltas en una película elástica impermeable. En la superficie exterior de la caja de cartón hay etiquetas de advertencia antiestáticas y frágiles. Los términos comerciales EXW, FOB, DDP están disponibles.

 

Preguntas frecuentes

 

P1: ¿Puedo obtener muestras de Photodarlington para mi prototipo de interruptor óptico?

Respuesta: Sí, se pueden proporcionar muestras previas a la producción en masa para la verificación del prototipo.

P2: ¿Cuál es su MOQ para pedidos al por mayor de transistores Photodarlington?

Respuesta: La MOQ es de 1 000 unidades, se permite la combinación de componentes de modelos mixtos dentro del pedido MOQ.

P3: ¿Qué plazo de entrega se aplica para el desarrollo de muestras personalizadas?

Respuesta: El desarrollo de muestras personalizadas normalmente toma un ciclo de desarrollo de una semana.

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